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思銳智能專注ALD創新,突破產能效率邊界和性能新高度

發布時間:2021-08-09    2568 閱讀量

沉積、光刻(ke)、刻(ke)蝕以及等離子注入是(shi)半導體和超(chao)越摩(mo)爾領域制造工藝的(de)(de) 4 大關鍵技術(shu)。在(zai)新晶圓產(chan)線(xian)的(de)(de)投資建設(she)中,約(yue) 80% 的(de)(de)投資用于(yu)購買設(she)備(bei),薄膜沉積設(she)備(bei)更是(shi)占據其(qi)中約(yue) 25% 的(de)(de)比重。業界(jie)主(zhu)流的(de)(de)薄膜沉積工藝主(zhu)要有原子層沉積 (ALD)、物理式真(zhen)空鍍膜 (PVD) 和化學(xue)式真(zhen)空鍍膜 (CVD) 等。其(qi)中 ALD 屬于(yu) CVD 的(de)(de)一(yi)種,是(shi)當下最先進的(de)(de)薄膜沉積技術(shu)。調研機構 GIR 相關報告(gao)表明,全球 ALD 設(she)備(bei)的(de)(de)市場(chang)規(gui)模在(zai) 2021-2026 年(nian)的(de)(de)年(nian)復(fu)合增(zeng)長率預計(ji)達(da)到 25.1%,將從(cong) 2019 年(nian)的(de)(de) 10.661 億(yi)美(mei)元增(zeng)至(zhi) 2026 年(nian)的(de)(de) 26.129 億(yi)美(mei)元。

隨著新(xin)材料、新(xin)制(zhi)(zhi)程、新(xin)工(gong)藝在新(xin)興半(ban)導(dao)體制(zhi)(zhi)造(zao)行業的(de)應用與發展,ALD 技術(shu)可以使得(de)材料以單(dan)原(yuan)子膜(mo)(0.1nm)形式沉(chen)積(ji)(ji)在基板(ban)表(biao)面(mian)(mian)的(de)特性,在沉(chen)積(ji)(ji)層的(de)厚度(du)控制(zhi)(zhi)、3D 異(yi)形材料表(biao)面(mian)(mian)均勻度(du)、表(biao)面(mian)(mian)無針孔、折射率等方面(mian)(mian)具有顯著優勢,因此(ci)特別適(shi)用于 MEMS、CMOS 圖(tu)像傳感器(qi)等產(chan)品的(de)制(zhi)(zhi)造(zao)與生(sheng)產(chan),并逐漸成為超越摩爾領(ling)域(yu)的(de)鍍膜(mo)沉(chen)積(ji)(ji)技術(shu)首(shou)選。

青島(dao)四方思銳智(zhi)能技術(shu)(shu)有限公(gong)司(si)(SRII)全資子(zi)公(gong)司(si)——BENEQ 全新推出的(de)(de)(de) TransformTM 系列設備(bei)是專為超(chao)越(yue)摩爾應(ying)用(yong)市場提供(gong)的(de)(de)(de)具有競爭(zheng)力的(de)(de)(de) ALD 解決方案(an)(an)。TransformTM 平臺采用(yong)了(le)全新的(de)(de)(de)集群設計(ji)和(he)(he)尖端的(de)(de)(de)鍍膜(mo)沉(chen)積技術(shu)(shu),可(ke)以(yi)為 8" 及(ji)以(yi)下晶圓(yuan)的(de)(de)(de)表(biao)面沉(chen)積多種材(cai)料(liao),包括(kuo) Al2O3、SiO2、AlN、TiN 等氧化(hua)(hua)物(wu)與氮化(hua)(hua)物(wu),并實(shi)現完全保形和(he)(he)高均(jun)勻性(xing)的(de)(de)(de)薄膜(mo)沉(chen)積。BENEQ 半(ban)導體(ti)業務技術(shu)(shu)總監 Alexander Perros 介紹(shao) :BENEQ 通(tong)用(yong)型 ALD 技術(shu)(shu)的(de)(de)(de)超(chao)越(yue)摩爾應(ying)用(yong)矩陣十分豐富,包括(kuo)功率(lv)器件、濾波器、MEMS 和(he)(he) CIS 等。同(tong)時,BENEQ 針(zhen)對不同(tong)的(de)(de)(de)細分市場也推出了(le)不同(tong)的(de)(de)(de) ALD 解決方案(an)(an),主要包括(kuo)高 K 介電質、表(biao)面鈍(dun)化(hua)(hua)、ALD 成核層(ceng)、化(hua)(hua)學阻擋(dang)層(ceng)、防潮層(ceng)及(ji)抗反射膜(mo)等。例(li)如,表(biao)面鈍(dun)化(hua)(hua),可(ke)以(yi)用(yong)不同(tong) ALD 材(cai)料(liao)來實(shi)現表(biao)面鈍(dun)化(hua)(hua),防潮層(ceng)則(ze)在封裝上發揮關(guan)鍵作用(yong);這些(xie)均(jun)在廣泛(fan)的(de)(de)(de)應(ying)用(yong)中具備(bei)很強的(de)(de)(de)通(tong)用(yong)性(xing)。

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代表BENEQ先進通用型ALD技術的TransformTM 系列設備

一個平臺,多種配置

BENEQ Transform ?憑借多(duo)(duo)功能性(xing)和靈活性(xing),制(zhi)造了全新的 ALD 集群工具設備。可適用于廣泛的應用場景并(bing)滿足不同的市場細分。Beneq Transform ?配(pei)置多(duo)(duo)個(ge) ALD工藝(yi)模(mo)塊,以滿足特定的晶圓(yuan)產能要(yao)求,也(ye)可為應對不斷增長(chang)的產量(liang)或新的 ALD 應用而(er)進行升級(ji)。

BENEQ 半導體業務負責人 Patrick Rabinzohn 表(biao)示 :“TransformTM 平臺兼容單(dan)片、批量、熱法(fa)以及等離(li)子體等功(gong)能(neng),是目前業界(jie)僅有、集多項功(gong)能(neng)于一體的通用型先(xian)進(jin)平臺。不僅如此,TransformTM 平臺更(geng)具(ju)備(bei)靈活配置(zhi)的優勢,客戶(hu)可以根據自(zi)身需(xu)求,選擇‘3 組(zu) ALD 模塊(kuai)(kuai) + 預加(jia)(jia)熱模塊(kuai)(kuai)’構建 TransformTM 的標準配置(zhi)、或‘2 組(zu) ALD 模塊(kuai)(kuai)+ 預加(jia)(jia)熱模塊(kuai)(kuai)’構建 TransformTM Lite 的簡(jian)化配置(zhi),實現差異化、更(geng)具(ju)效益的生產和管理方式,并在(zai)主流廠(chang)商中開拓了意(yi)向訂單(dan)。”

以鍍膜(mo)沉積 50 納(na)米的(de)(de)(de)氧化(hua)鋁為例,若采用(yong)(yong)標準配置(zhi)的(de)(de)(de) TransformTM 系(xi)統,最(zui)(zui)多的(de)(de)(de)產量可(ke)以達(da)到每小時(shi) 40 片晶圓以上,即使 Lite 設備也(ye)能(neng)達(da)到每小時(shi) 25 片以上,這于(yu)整個行(xing)業對 ALD 的(de)(de)(de)傳統認知(zhi)可(ke)謂顛(dian)覆性(xing)的(de)(de)(de)技術(shu)突破(po)!Beneq TransformTM 專為晶圓廠而設計,適用(yong)(yong)于(yu)廣泛(fan)的(de)(de)(de)高性(xing)能(neng)氧化(hua)物(wu)和氮化(hua)物(wu),在(zai)工(gong)藝制備中(zhong)可(ke)滿足最(zui)(zui)苛(ke)刻的(de)(de)(de)薄膜(mo)沉積要求(qiu),并提供無與倫比的(de)(de)(de)靈活(huo)性(xing)。工(gong)業標準的(de)(de)(de)水平(ping)晶圓裝(zhuang)載可(ke)實現(xian)即插即用(yong)(yong)的(de)(de)(de)無縫集成。配備獨(du)特的(de)(de)(de)預熱模塊(kuai),可(ke)減(jian)少數小時(shi)的(de)(de)(de)等待時(shi)間(jian),并將產能(neng)提升(sheng)到一個全(quan)新的(de)(de)(de)水平(ping)。

BENEQ TransformTM 平臺已經(jing)通過 SEMI S2/S8 認證(zheng),支持 SECS/GEM 標準,并逐漸向 12" 晶(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)成熟沉積(ji)技術邁進。除了縱向的(de)(de)技術、性能(neng)(neng)、產能(neng)(neng)突(tu)破,憑借BENEQ 先進的(de)(de)通用(yong)型 ALD 技術,思(si)銳智能(neng)(neng)正在拓展更多前沿垂直行業(ye)的(de)(de)應(ying)用(yong)創新(xin),將為客戶提供(gong)靈活、可靠、高產能(neng)(neng)的(de)(de)半導體(ti)晶(jing)圓(yuan)(yuan)鍍膜量產解決方案。

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